[new] transistor(트랜지스터) 등가회로
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작성일 22-12-24 10:35
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다.
-파라미터는 4단자(terminal)회로망에 대하여
식 3
의 식으로 표시된다된다.
이들의 대한 대표적인 크기는
Ω
㏁ Ω 식 2
정도이다. 는 낮게 도핑(doping)된 베이스 부분을 가로지르는 저항을 표시하며, 컬렉터전압에 따라서 실제 베이스 길이가 변하기 때문에 도 따라서 변화한다.
레포트/공학기술
설명
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transistor(트랜지스터) 등가회로
순서
transistor(트랜지스터) 등가회로
정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸미는 실험리포트입니다.
1. 목 적
2. 이 론
3. 회로도
4. 사용기구
5. 절차
여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 상대하여
(Ω) 식 1
의 관계로써 구해진다. 는 가 역방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 그 크기는 수 ㏁정도이다.
이때 이고, 이다.
다음은 -등가회로를 -파리미터와 비교해 보도록 한다. 는 에 대한 의 비를 표시했던 전류전달률과 같은 것으로 간주하면 된다된다.
식 4…(skip)
정상바이어스된 transistor(트랜지스터) 의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정(measurement)하여 transistor(트랜지스터) 의 등가회로를 꾸미는 실험리포트입니다.
